MoSe2纳米片复合烟花状TiO2纳米棒阵列及其制备方法

摘要

本发明公开了一种MoSe2纳米片复合烟花状TiO2纳米棒阵列，其包括TiO2纳米棒阵列和MoSe2纳米片；所述MoSe2纳米片均匀且大量分布在所述TiO2纳米棒阵列的表面，在阵列表面具有良好复合；所述TiO2纳米棒阵列是由TiO2纳米棒自组装形成的。为本发明还公开了所述MoSe2纳米片复合烟花状TiO2纳米棒阵列的制备方法，采用两步溶剂热法使MoSe2纳米片均匀生长在烟花状的TiO2纳米棒阵列上，得到良好复合形貌的材料。所制备的半导体材料具有增大的光谱吸收范围和比表面积，降低的载流子复合几率，具有良好的光催化降解性能，在光催化降解领域有巨大应用潜力。本发明制备方法具有操作简单，产量高，制备成本低等优点。