法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-10-09
授权
授权
2016-08-03
实质审查的生效 IPC(主分类):B01J27/051 申请日:20160125
实质审查的生效
2016-07-06
公开
公开
技术领域
本发明涉及Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2族硫化物,特指利用简单快速的水热法制备 AgIn5S8-ZnS/MoS2异质结复合光催化剂,可用于可见光下降解罗丹明B染料。
背景技术
AgIn5S8-ZnS纳米晶是Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2族直接带隙三元硫化物半导体,纳米尺寸、 可见光响应,不仅具备了量子点所具有的优异性能,同时以其低毒环保的优点有 望取代Cd系量子点在各领域的应用;其很强的量子限域效应使得其具备尺寸可 调的光学性质,比表面积大提供更多的活性位点,纳米结构能够减小载流子向催 化剂表面扩散的距离,有效提高光生载流子的迁移速率,更有利于实现高效光催 化分解有机物;目前,WenjuanZhang等人(JournalofSolidStateChemistry183 (2010)2466–2474.)研究了利用微波法制备AgIn5S8粉体并验证在可见光下降解 甲基橙效果,材料尺寸在微米级别以上,比表面积低,光催化降解效率低。 JiangluqiSong等人(Inorg.Chem.2015,54,1627-1633.)研究了利用水热法合成 Zn掺杂AgIn5S8量子点在不同时间和温度、不同L-半胱氨酸浓度及乙酸锌含量 的情况下光学性质的变化,最后制备出AgIn5S8/ZnS核壳结构并研究生物方面的 应用;JianhuaHan等人(ACSAppl.Mater.Interfaces2014,6,17119-17125.)成 功制备出AgInS2修饰ZnO纳米棒构筑复合体系在全固态混合太阳能电池方面的 应用;KanLi等人(ACSCatal.2013,3,170-177.)研究了AgIn5S8/TiO2异质结纳 米复合物,具有很强的可见光响应光催化活性,然而,构筑从优化界面结构生长 的AgIn5S8-ZnS/MoS2异质结复合光催化剂的应用还没有。
发明内容
本发明目的在于提供一种简单快速的AgIn5S8-ZnS/MoS2异质结材料的合成 方法,该方法以硝酸银、硝酸铟、二水合乙酸锌、L-半胱氨酸、硫代乙酰胺、四 水合钼酸铵、硫脲为原料,利用水热法来合成具有良好可见光催化活性的纳米异 质结复合光催化剂的方法。
本发明通过以下步骤实现:
(1)将AgIn5S8-ZnS纳米晶与四水合钼酸铵、硫脲混合搅拌在200度条件下 水热反应8小时,反应结束后经过过滤,洗涤,干燥得到AgIn5S8-ZnS/MoS2异质 结复合光催化剂,其中MoS2与AgIn5S8-ZnS纳米晶的质量比为1%-30%,光催化性 能最优化质量比为5%。
所述AgIn5S8-ZnS纳米晶的制备方法为:称取硝酸银、硝酸铟、二水合乙酸 锌、L-半胱氨酸混合溶于水溶液中,用NaOH调节溶液pH值为8.5,接着加入硫代 乙酰胺超声搅拌,然后在110度条件下水热反应4小时,反应结束后经过离心干燥, 得到AgIn5S8-ZnS纳米晶。
制备过程中复合时反应温度时间非常重要,温度过低MoS2合成不了,过高 AgIn5S8-ZnS纳米晶表面的保护基团易分解,降低了光催化性能。
(2)本发明所制备的AgIn5S8-ZnS/MoS2异质结复合光催化剂,晶化完全, 分散性良好。
(3)利用X射线衍射仪(XRD)、激光拉曼光谱仪、透射电子显微镜(TEM)、 X光电子能谱仪等仪器对产物进行结构分析,以罗丹明B溶液为目标染料进行光 催化降解实验,通过紫外-可见分光光度计测量吸光度,显示出优异的光催化活 性;本发明工艺非常简单,价廉易得,成本低廉,反应时间较短,从而减少了能 耗和反应成本,便于批量生产,无毒无害,符合环境友好要求。
本发明涉及Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2族四元Ag-In-Zn-S纳米晶与二维的类石墨烯结构的 MoS2复合,Ag-In-Zn-S纳米晶是直接窄带隙四元半导体,可见光响应,带隙连续 可调,纳米颗粒拥有较大的比表面积,提供了很多的活性位点,自身量子化优势 使半导体获得更大的电荷迁移速率,提高它对可见光利用率和增强光催化性能; MoS2是一种典型的层状过渡金属硫化物,边缘结构复杂,有很高的不饱和性,反 应活性高,其与Ag-In-Zn-S纳米晶复合,通过控制界面结构生长构造复合光催化 剂。
附图说明
图1为所制备的AgIn5S8-ZnS/MoS2异质结复合光催化剂的XRD衍射谱图;其 中,用“#”表示MoS2的峰,用“*”表示AgIn5S8-ZnS的峰。
图2为所制备AgIn5S8-ZnS/MoS2异质结复合光催化剂激光拉曼光谱图。
图3为所制备AgIn5S8-ZnS/MoS2异质结复合光催化剂的透射电镜照片;(a)、 (b)、(c)、(d)分别对应0%、5%、10%、30%对比图。
图4为所制备AgIn5S8-ZnS/MoS2异质结复合光催化剂的可见光催化降解罗丹 明B溶液的时间-降解率关系图。
具体实施方式
实施例1AgIn5S8-ZnS/MoS2异质结复合光催化剂的制备
300mgAgIn5S8-ZnS纳米晶分别加入到35mL的含有四水合钼酸铵和硫脲的 水溶液中,磁力搅拌,控制复合物质量比为1%、5%、10%、15%、30%,在200 度条件下水热反应8小时,反应结束后,将所得产物用去离子水/乙醇洗净,过滤, 恒温干燥箱中60℃烘干。
实施例2AgIn5S8-ZnS/MoS2异质结复合光催化剂的表征分析
如图1所示,从图中可以看出尽管随着MoS2量的增加,仍主要是AgIn5S8-ZnS 纳米晶的峰并没有出现MoS2峰。
如图2所示,从图中可以看到在复合量较低时有荧光峰出现,随着MoS2量的 增加,MoS2拉曼特征峰逐渐增强,说明成功制备出AgIn5S8-ZnS/MoS2异质结复 合光催化剂。
如图3所示,从图中可以看出AgIn5S8-ZnS纳米晶仅几纳米,随着MoS2量的增 加,MoS2逐渐由聚合生长成片状。
如图4所示,图中可以清楚看到AgIn5S8-ZnS/MoS2异质结复合光催化剂具有 优异的光催化降解活性。
实施例3AgIn5S8-ZnS/MoS2异质结复合光催化剂的可见光催化活性实验
(1)配制浓度为10mg/L的罗丹明B溶液,将配好的溶液置于暗处。
(2)称取AgIn5S8-ZnS/MoS2异质结复合光催化剂10mg,分别置于光催化反 应器中,加入100mL步骤(1)所配好的目标降解液,磁力搅拌60min待复合光 催化剂分散均匀后,打开水源,光源,进行光催化降解实验。
(3)每2min吸取反应器中的光催化降解液,离心后用于紫外-可见吸光度 的测量。
(4)由图4可见所制备的纳米异质结复合光催化剂具有优异的可见光催化活 性,尤其是MoS2与AgIn5S8-Zn纳米晶的质量比为5%的样品,比纯的AgIn5S8-Zn 纳米晶和MoS2的降解活性都要高。
机译: 具有改善的光催化活性的碳材料基光催化剂的制备方法,通过前一种方法制备的光催化剂和包含前一种碳材料基光催化剂的过滤器
机译: 半导体异质结/同质结,制备方法,以及相同的光催化剂
机译: 制备纳米复合异质结光催化剂的方法