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方法及具有包含金属源极的存储器单元的串的设备

摘要

本发明揭示用于形成存储器单元的串的方法、一种具有存储器单元的串的设备及一种系统。一种用于形成存储器单元的所述串的方法包括在衬底上方形成金属硅化物源极材料。对所述金属硅化物源极材料进行掺杂。存储器单元的垂直串形成在所述金属硅化物源极材料上方。半导体材料垂直形成且邻近于存储器单元的所述垂直串并耦合到所述金属硅化物源极材料。

著录项

  • 公开/公告号CN105745749A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-07-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 美光科技公司;

    申请/专利号CN201480063209.0

  • 申请日2014-10-31

  • 分类号H01L21/8247(20060101);H01L27/115(20060101);

  • 代理机构11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人路勇

  • 地址 美国爱达荷州

  • 入库时间 2023-12-18 15:54:16

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-08-03

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/8247 申请日:20141031

    实质审查的生效

  • 2016-07-06

    公开

    公开

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