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基于高阻ZnO薄膜的光电导型X射线探测器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于高阻ZnO薄膜的光电导型X射线探测器及其制备方法,包括壳体、两条引线、以及设于壳体内且自上到下依次设置的电极层、ZnO膜层及衬底基片,所述电极层由若干等间距分布的Al膜组成,其中一个引线与一部分Al膜相连接,另一个引线与另一部分Al膜相连接,与且两个引线连接的Al膜交错分布。本发明具有低噪声、高灵敏度、快速响应特性,制备成本较低。

著录项

  • 公开/公告号CN105742393A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-07-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安交通大学;

    申请/专利号CN201610280939.7

  • 申请日2016-04-28

  • 分类号H01L31/08(20060101);H01L31/0296(20060101);H01L31/0224(20060101);H01L31/18(20060101);

  • 代理机构61200 西安通大专利代理有限责任公司;

  • 代理人陆万寿

  • 地址 710049 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号

  • 入库时间 2023-12-18 15:45:39

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-12-05

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L31/08 申请公布日:20160706 申请日:20160428

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2016-08-03

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/08 申请日:20160428

    实质审查的生效

  • 2016-07-06

    公开

    公开

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