首页> 中国专利> GaN外延片的制作方法及制备GaN外延片的设备

GaN外延片的制作方法及制备GaN外延片的设备

页面导航

摘要

本发明提出了一种GaN外延片的制作方法及制备GaN外延片的设备，提供具有多个反应腔室的设备，将成核层固定于一个反应腔室内生长，将含有Ga元素的缓冲层固定于另一个腔体内生长，可以有效地防止反应腔室内残留物挥发回熔对其他薄膜层质量造成影响，从而提高GaN外延层的晶体质量。

公开/公告号CN105742160A

专利类型发明专利
公开/公告日2016-07-06

原文格式PDF
申请/专利权人杭州士兰微电子股份有限公司;杭州士兰明芯科技有限公司;
展开▼

申请/专利号CN201610222143.6
发明设计人李东昇;丁海生;陈善麟;
展开▼

申请日2016-04-11
分类号H01L21/02(20060101);C30B25/18(20060101);C23C16/34(20060101);C23C16/20(20060101);C23C16/40(20060101);
代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人智云
地址 310012 浙江省杭州市黄姑山路4号
入库时间 2023-12-18 15:45:39

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-05-31

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/02 申请公布日:20160706 申请日:20160411

发明专利申请公布后的视为撤回
2016-08-03

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/02 申请日:20160411

实质审查的生效
2016-07-06

公开

公开

1. GaN外延片的制作方法及制备GaN外延片的设备 [P] . 中国专利： CN105742160A . 2016-07-06
2. 图形化衬底的GaN基LED外延片及该外延片的制备方法 [P] . 中国专利： CN101740677A . 2010-06-16
3. METHOD FOR GROWTH OF GaN SINGLE CRYSTAL, METHOD FOR PREPARATION OF GaN SUBSTRATE, PROCESS FOR PRODUCING GaN-BASED ELEMENT, AND GaN-BASED ELEMENT [P] . 美国专利： US2010009516A1 . 2010-01-14

机译： GaN单晶的生长方法，GaN基体的制备方法，GaN基元素的制备方法和GaN基元素
4. METHOD FOR GROWTH OF GaN SINGLE CRYSTAL, METHOD FOR PREPARATION OF GaN SUBSTRATE, PROCESS FOR PRODUCING GaN-BASED ELEMENT, AND GaN-BASED ELEMENT [P] . 美国专利： US2010120234A1 . 2010-05-13

机译： GaN单晶的生长方法，GaN基体的制备方法，GaN基元素的制备方法和GaN基元素
5. METHOD FOR GROWTH OF GaN SINGLE CRYSTAL, METHOD FOR PREPARATION OF GaN SUBSTRATE, PROCESS FOR PRODUCING GaN-BASED ELEMENT, AND GaN-BASED ELEMENT [P] . 欧洲知识产权局专利： EP1876270A4 . 2009-09-23

机译： GaN单晶的生长方法，GaN基体的制备方法，GaN基元素的制备方法和GaN基元素