一种透明导电薄膜IWTO的靶材的制备方法

摘要

本发明涉及一种透明导电薄膜IWTO的靶材的制备方法，包括以下步骤，（1）配比原料：按质量比例称取原料In2O3粉末、WO3粉末和SnO2粉末；（2）均匀混合原料：将原料放入球磨机，球磨5~10h，混合均匀后取出后再用去离子水配成悬浊液，再用磁力搅拌器加热搅拌直至去离子水蒸发后变为溶胶状混合物；（3）压制成型：将溶胶状混合物装入模具中在250~300KN的载荷下压制成型，得到第一次成型的生坯，再用200~250KN的载荷进行二次压制成型，得到生坯；（4）煅烧生坯：将制得的生坯放在马弗炉中在空气气氛中进行煅烧，煅烧温度为1000~1100℃，煅烧时间为8~18h；待冷却至常温，得到IWTO靶材。