用于超高真空系统的可控低温汞蒸气源

摘要

一种用于超高真空系统的可控低温汞蒸气源。汞杯底部与多级半导体制冷片(TEC)顶部粘接，TEC底部与热沉顶部粘接，热沉通过通水法兰安装在超高真空系统上。汞杯侧壁粘有温度传感器，温度传感器和TEC通过Feedthrough与外部实现电气连接。汞杯中盛有单质汞，汞蒸气可扩散到整个真空系统内部。本发明实现对超高真空系统内部汞蒸气密度的控制。TEC通电时，汞杯得到制冷，产生热量传递给热沉，冷却水通过通水法兰进入热沉内部带走热量。由于温度降低，汞杯内的单质汞对应的饱和蒸气压降低，从而使真空系统内汞蒸气密度降低。温度传感器可检测汞杯温度，控制TEC电流即可控制系统内汞蒸气密度。