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控制GLSI多层铜布线精抛碟形坑延伸的碱性抛光液应用

摘要

本发明涉及一种控制GLSI多层铜布线精抛碟形坑延伸的碱性抛光液应用,主要由纳米Si0

著录项

  • 公开/公告号CN105619235A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-06-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 天津晶岭微电子材料有限公司;

    申请/专利号CN201510993361.5

  • 发明设计人 刘玉岭;贾少华;王辰伟;

    申请日2015-12-24

  • 分类号B24B37/04;C09G1/02;

  • 代理机构天津市三利专利商标代理有限公司;

  • 代理人杨红

  • 地址 300130 天津市滨海新区华苑产业区科馨公寓20门501-5室

  • 入库时间 2023-12-18 15:38:07

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-04-24

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):B24B37/04 申请公布日:20160601 申请日:20151224

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2016-06-29

    实质审查的生效 IPC(主分类):B24B37/04 申请日:20151224

    实质审查的生效

  • 2016-06-01

    公开

    公开

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