一种图形化绝缘体上硅衬底材料及其制备方法

摘要

本发明提供一种图形化绝缘体上硅衬底材料及其制备方法，所述图形化绝缘体上硅衬底材料包括：底层硅；绝缘层，结合于所述底层硅表面，且于对应于制备晶体管沟道的位置形成有凹槽，所述凹槽与底层硅之间保留有部分的绝缘层；顶层硅，结合于所述绝缘层表面。本发明通过在对应于制备晶体管沟道的绝缘层中制作凹槽，该凹槽与底层硅之间保留有部分的绝缘层，使得后续制备的晶体管沟道下方具有挖空区域。本发明结构及方法简单，可有效提高器件的可靠性，在半导体制造领域具有广泛的应用前景。