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一种引入TiN/Ti作为中间层的纳米复合电极结构及其制备方法

摘要

本发明公开了一种引入TiN/Ti作为中间层的纳米复合电极结构及其制备方法。本发明以TiN/Ti作为中间层的纳米复合电极呈现独特的火柴状结构。制作方法为首先将单层的聚苯乙烯纳米球模板利用旋涂法自组装在预先清洗、活化处理后的硅衬底上;随后采用电感应耦合等离子体干法刻蚀技术进行刻蚀上述样品;之后依次利用有机溶剂及标准清洗硅片工艺去除掩膜及刻蚀过程中所产生的副产物即可得到晶圆级三维硅纳米柱阵列基础结构;最后利用射频磁控溅射技术依次沉积TiN、Ti、Ge得到该电极结构。此独特的三维纳米复合电极结构可作为可集成微型锂/钠离子电池、燃料电池等储能系统模块应用在微/纳机械系统等智能微型传感半导体器件中。

著录项

  • 公开/公告号CN105576208A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-05-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 厦门大学;

    申请/专利号CN201610069664.2

  • 发明设计人 李静;岳闯;于英健;

    申请日2016-02-01

  • 分类号H01M4/36;H01M4/38;H01M4/48;H01M10/0525;H01M4/139;B82Y30/00;

  • 代理机构厦门市首创君合专利事务所有限公司;

  • 代理人张松亭

  • 地址 361000 福建省厦门市思明南路422号

  • 入库时间 2023-12-18 15:16:34

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-02-04

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01M4/36 申请公布日:20160511 申请日:20160201

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2016-06-08

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01M4/36 申请日:20160201

    实质审查的生效

  • 2016-05-11

    公开

    公开

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