公开/公告号CN105540604A
专利类型发明专利
公开/公告日2016-05-04
原文格式PDF
申请/专利权人 浙江大学自贡创新中心;
申请/专利号CN201510961112.8
申请日2015-12-20
分类号C01B33/44;C09D5/08;C09D7/12;
代理机构杭州中成专利事务所有限公司;
代理人周世骏
地址 643000 四川省自贡市高新工业园区金川路69号
入库时间 2023-12-18 15:54:55
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-07-13
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C01B33/44 申请公布日:20160504 申请日:20151220
发明专利申请公布后的驳回
2016-06-01
实质审查的生效 IPC(主分类):C01B33/44 申请日:20151220
实质审查的生效
2016-05-04
公开
公开
机译: 改性蒙脱土,包括所述改性蒙脱土的组合物和获得所述改性蒙脱土的方法
机译: 钌配合物插层的N掺杂或N,S掺杂的二氧化钛柱状蒙脱土及其制备方法
机译: 钌配合物插层的N掺杂或N,S掺杂的二氧化钛柱状蒙脱土及其制备方法