IPS型TFT-LCD阵列基板的制作方法及IPS型TFT-LCD阵列基板

摘要

本发明提供一种IPS型TFT-LCD阵列基板的制作方法及IPS型TFT-LCD阵列基板。本发明的IPS型TFT-LCD阵列基板的制作方法，将公共电极走线与栅极采用同层金属制得，将像素电极与漏极采用同层金属制得，在绝缘保护层及栅极绝缘层上形成对应于所述公共电极走线上方的过孔，在所述绝缘保护层上形成透明导电材料的公共电极，使公共电极通过过孔与公共电极走线相接触，从而能够提升像素电极的充电效率；本发明的TFT阵列基板，像素电极与漏极采用同层金属制得，公共电极走线与栅极采用同一层金属层制得，公共电极为透明导电材料并位于绝缘保护层上，公共电极通过绝缘保护层及栅极绝缘层上的过孔与公共电极走线相接触，像素电极的充电效率高，能够提高IPS型液晶显示面板的显示效果。