具有超高载流子迁移率的石墨烯及其制备方法

摘要

本发明涉及一种石墨烯膜，其由包括如下步骤的方法获得：a)提供衬底，b)在所述衬底的表面上外延生长金属层，c)可选地，通过在外延生长的金属层上生长金属来增加步骤b)中得到的金属层的厚度，d)从所述衬底剥离步骤b)或者可选地步骤c)中得到的金属层，e)在由步骤d)获得的金属层的至少一部分表面上沉积石墨烯，所述至少一部分表面在步骤d)进行剥离之前与所述衬底接触。这种石墨烯膜具有非常高的载流子迁移率，即，当于SiO2衬底上测量时，载流子迁移率大于11000cm2/V·sec，至少15000cm2/V·sec，至少20000cm2/V·sec，至少25000cm2/V·sec，或甚至至少30000cm2/V·sec。