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机译:二维Ca_3Sn_2S_7硫族化物钙钛矿:具有直接带隙0.5 eV和超高载流子迁移率6.7×10〜4 cm〜2 V〜(-1)s〜(-1)的石墨烯类半导体
Peking Univ Sch Phys State Key Lab Artificial Microstruct & Mesoscop P Beijing 100871 Peoples R China;
Ca3Sn2S7 monolayers; direct bandgap semiconductors; graphene-like linear electronic dispersion; strong optical absorption; ultrahigh carrier mobility;
机译:十八型功能单层金属氧化物:具有优异的抗氧化性和超高载体移动的宽带隙半导体
机译:电子迁移率≥10cm〜2V _(-1)s〜(-1)的宽带隙可调谐非晶Cd-Ga-O氧化物半导体
机译:APS -APS 2017年3月会议-活动-窄带隙高迁移率2D半导体的光电检测
机译:表面GA-BOOSTED BORON-DOPED SI_0.5GEO_0.5使用原位CVD外延:实现1.1×10 ^ 21cm ^ -3主动掺杂浓度和5.7×10 ^-10Ω-cm ^ 2接触电阻率
机译:适用于未来规模化技术的高介电常数电介质和高迁移率半导体:氧化ha /锗CMOS器件的Ha基高K栅极电介质和界面工程
机译:超高迁移率层状氧化物半导体Bi2O2Se中的电子结构和异常坚固的带隙
机译:用于单结太阳能电池的2D Ruddlesden-popper Phalcskite Chalcogenere的最佳带隙
机译:推动高Kappa电介质的材料限制,用于超过si CmOs等的科学/技术的高载流子迁移率半导体。