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基于NAND-Flash双启动引导的启动方法及装置

摘要

本发明公开了一种基于NAND-Flash的双启动引导的启动方法包括:在系统启动时,获取预置的启动标志及启动引导的物理地址表;获得启动标志对应的目标物理地址,判断目标物理地址是否为CPU默认读取的特定物理地址;若则将逻辑器件接收到的信号直接发送至NAND-Flash存储器;若否则将逻辑器件接收到的信号中地址信号解析后按照目标物理地址进行翻译,将翻译后的信号发送至NAND-Flash存储器。本发明还公开了一种基于NAND-Flash双启动引导的启动装置。本发明实现了NAND-Flash双启动引导的启动控制,避免了初始引导区不能被同时升级的问题,提高了系统运行的稳定性与便捷性。

著录项

  • 公开/公告号CN105320529A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-02-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中兴通讯股份有限公司;

    申请/专利号CN201410323968.8

  • 发明设计人 沈楠科;

    申请日2014-07-08

  • 分类号G06F9/445(20060101);G06F11/14(20060101);

  • 代理机构44287 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所;

  • 代理人胡海国

  • 地址 518057 广东省深圳市南山区高新技术产业园科技南路中兴通讯大厦法务部

  • 入库时间 2023-12-18 14:21:19

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-05-17

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F9/445 申请日:20140708

    实质审查的生效

  • 2016-02-10

    公开

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