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用以改进用于MEMS应用的PbZrTiO3及Pt膜的结晶度的方法

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摘要

本申请案涉及用以改进用于mems应用的PbZrTiO

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-12-13

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L41/08 申请公布日:20160203 申请日:20150630

发明专利申请公布后的视为撤回
2017-05-24

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L41/08 申请日:20150630

实质审查的生效
2016-02-03

公开

公开

1. 用以改进用于MEMS应用的PbZrTiO3及Pt膜的结晶度的方法 [P] . 中国专利： CN105304809A . 2016-02-03
2. EAP装置、EAP连续混合膜的应用以及用于制造EAP装置的方法 [P] . 中国专利： CN104779341A . 2015-07-15
3. METHODS TO IMPROVE THE CRYSTALLINITY OF PbZrTiO3 AND Pt FILMS FOR MEMS APPLICATIONS [P] . 美国专利： US2015380635A1 . 2015-12-31

机译：提高MEMS应用PbZrTiO3和Pt薄膜的晶度的方法。
4. RELEASE FILM FOR PROCESS SUPPRESSING POOR APPEARANCE OF MOLDED PRODUCT, APPLICATION OF THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING RESIN-SEALED SEMICONDUCTOR USING THE SAME [P] . 日本专利： JP2017205901A . 2017-11-24

机译：用于抑制模制品外观不良的释放膜，该膜的应用以及使用该膜制造树脂密封半导体的方法
5. A mold release film for a process that has an excellent appearance of a molded product, its application, and a method for manufacturing a resin-sealed semiconductor using the same. [P] . 日本专利： JP6767763B2 . 2020-10-14

机译：用于具有优异的成型品外观的方法的脱模膜，其应用以及使用该脱模膜的树脂密封半导体的制造方法。