一种FM/NM薄膜结构中逆自旋霍尔电压值的测量方法

摘要

该发明公开了一种FM/NM薄膜结构中逆自旋霍尔电压值的测量方法，属于自旋电子学研究以及相关自旋器件制造领域。本发明基于利用终端短路的悬空微带传输线夹具测试FM/NM薄膜结构样品的自旋泵浦-逆自旋霍尔效应电压的方法，采用将样品在微带线夹具中垂直翻转的方式，先后在膜面向上以及膜面向下的位形时测量出样品两端电压，根据样品位形中自旋注入的方向相反的差别，通过简单计算，便可精确获得测量电压中自旋整流分量以及逆自旋霍尔效应电压分量，为精确计算自旋霍尔角提供了参考。