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一种基于低维电子等离子体波的太赫兹调制器及其制造方法

摘要

本发明提出一种基于低维电子等离子体波的太赫兹调制器和制造方法以及一种高速调制方法,所述太赫兹调制器包括等离激元和谐振腔;本发明基于电子集体振荡(等离子体波,即等离激元,Plasmon)引起的共振吸收机制。为了增强太赫兹波和等离激元的耦合强度,将具有光栅栅极的GaN/AlGaN高电子迁移率晶体管结构集成在一个太赫兹法布里-玻罗谐振腔里,等离激元与谐振腔模式的强耦合形成了等离极化激元。强耦合作用使得谐振腔模式的透射系数在共振点最小,通过光栅栅压的改变,调控等离激元和腔模的共振条件,实现对太赫兹波的高效、高速调制。本发明对该器件的工作原理和实现工艺技术都做了详细的介绍,为相关应用提供一种较佳的解决方案。

著录项

  • 公开/公告号CN105204190A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-12-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201410256651.7

  • 发明设计人 黄永丹;秦华;张志鹏;余耀;

    申请日2014-06-10

  • 分类号G02F1/01(20060101);

  • 代理机构11446 北京律和信知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人王美石;刘国伟

  • 地址 215123 江苏省苏州市苏州工业园区若水路398号

  • 入库时间 2023-12-18 13:09:08

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-01-27

    实质审查的生效 IPC(主分类):G02F1/01 申请日:20140610

    实质审查的生效

  • 2015-12-30

    公开

    公开

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