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一种改善区熔硅单晶硅生长的热场

摘要

本发明提供了一种改善区熔硅单晶硅生长的热场,包括线圈主体和冷却水管,所述冷却水管焊接嵌入所述线圈主体内,所述线圈主体为平板线圈,所述线圈主体的上表面向线圈内部凹陷成关于中心对称的阶梯结构,所述阶梯结构的最外层台阶的外延周向设有一凹槽。根据电流的趋肤效应,以及磁场的尖角效应,本发明的凹槽设计使得凹槽处的磁感线密度增加,磁场变强,从而达到有效熔化硅刺的目的,提高硅单晶生长稳定性。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-12-21

    专利申请权的转移 IPC(主分类):C30B13/16 登记生效日:20181204 变更前: 变更后: 申请日:20151019

    专利申请权、专利权的转移

  • 2018-10-16

    实质审查的生效 IPC(主分类):C30B13/16 申请日:20151019

    实质审查的生效

  • 2015-12-23

    公开

    公开

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