首页> 中国专利> 对具有有限耐写性的高速缓存的集间损耗矫平

对具有有限耐写性的高速缓存的集间损耗矫平

摘要

高速缓存控制器包括第一寄存器,该第一寄存器在对高速缓存存储器中的数个高速缓存集的每一次存储器位置交换操作之后更新,并且每N-1次存储器位置交换操作就复位。N是该高速缓存存储器中的高速缓存集的数目。该存储器控制器还具有第二寄存器,该第二寄存器在每N-1次存储器位置交换操作后更新,并且每(N2-N)次存储器位置交换操作就复位。第一和第二寄存器跟踪这些高速缓存集的逻辑位置和物理位置之间的关系。

著录项

  • 公开/公告号CN105009093A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-10-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 高通股份有限公司;

    申请/专利号CN201480009440.1

  • 发明设计人 X·董;

    申请日2014-02-12

  • 分类号G06F12/02(20060101);G06F12/08(20060101);

  • 代理机构31100 上海专利商标事务所有限公司;

  • 代理人袁逸

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2023-12-18 11:42:56

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-03-09

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G06F12/02 申请公布日:20151028 申请日:20140212

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2015-11-25

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F12/02 申请日:20140212

    实质审查的生效

  • 2015-10-28

    公开

    公开

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