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射频SOI-MOS变容管衬底模型及其参数提取方法

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摘要

本发明提供一种射频SOI-MOS变容管衬底模型及其参数提取方法，所述模型至少包括：从栅端到源漏端依次串联栅端接引线寄生电感L

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-07-10

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G06F17/50 申请公布日:20151104 申请日:20150721

发明专利申请公布后的视为撤回
2015-12-02

实质审查的生效 IPC(主分类):G06F17/50 申请日:20150721

实质审查的生效
2015-11-04

公开

公开

1. 射频SOI-MOS变容管衬底模型及其参数提取方法 [P] . 中国专利： CN105022878A . 2015-11-04
2. SOI晶体管四端口网络射频模型参数提取方法 [P] . 中国专利： CN108875105A . 2018-11-23
3. Basic frequency trajectory model parameter extracting apparatus, basic frequency trajectory model parameter extracting method, program, and recording medium [P] . 日本专利： JP5188300B2 . 2013-04-24

机译：基本频率轨迹模型参数提取装置，基本频率轨迹模型参数提取方法，程序和记录介质
4. FUNDAMENTAL FREQUENCY TRAJECTORY MODEL PARAMETER EXTRACTION DEVICE, FUNDAMENTAL FREQUENCY TRAJECTORY MODEL PARAMETER EXTRACTION METHOD, PROGRAM, AND RECORDING MEDIUM [P] . 日本专利： JP2010020258A . 2010-01-28

机译：基本频率弹道模型参数提取装置，基本频率弹道模型参数提取方法，程序和记录介质
5. MODEL PARAMETER EXTRACTION DEVICE AND MODEL PARAMETER EXTRACTION METHOD [P] . 日本专利： JP2010061190A . 2010-03-18

机译：模型参数提取装置和模型参数提取方法