法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-07-17
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):A61B5/0402 申请公布日:20151104 申请日:20150513
发明专利申请公布后的视为撤回
2015-12-02
实质审查的生效 IPC(主分类):A61B5/0402 申请日:20150513
实质审查的生效
2015-11-04
公开
公开
机译: 一种用于制备集成半导体器件的方法,该方法包括形成第一接触电极,该第一接触电极被密封并设置有隔离物和第二接触电极,该第二接触电极被自动调节至第一
机译: 一种制备对半导体的阻挡或非阻挡电极的方法以及该电极接触导电路径
机译: 使用指示至少一种尖端到尖端的短路或泄漏,至少一种尖端到一侧的短路或泄漏以及至少一种倒角短路或泄漏的非接触电测量来处理半导体晶片的方法,其中这种测量从与各个尖端到尖端的短路,尖端到一侧的短路和倒角短路测试区域相关的非接触焊盘获得