公开/公告号CN104992005A
专利类型发明专利
公开/公告日2015-10-21
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院微电子研究所;
申请/专利号CN201510351261.2
申请日2015-06-23
分类号G06F17/50(20060101);
代理机构北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人朱海波
地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号
入库时间 2023-12-18 11:23:54
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-05-06
专利权的转移 IPC(主分类):G06F17/50 专利号:ZL2015103512612 登记生效日:20220425 变更事项:专利权人 变更前权利人:澳芯集成电路技术(广东)有限公司 变更后权利人:锐立平芯微电子(广州)有限责任公司 变更事项:地址 变更前权利人:510000 广东省广州市黄浦区开源大道136号A栋601 变更后权利人:510000 广东省广州市黄埔区开发大道348号建设大厦710室
专利申请权、专利权的转移
2018-11-27
授权
授权
2015-11-18
实质审查的生效 IPC(主分类):G06F17/50 申请日:20150623
实质审查的生效
2015-10-21
公开
公开
技术领域
本发明涉及IC器件提参建模领域,尤其涉及一种限制器件模型适用 温度范围的方法。
背景技术
随着集成电路技术的发展和越来越广泛的应用,集成电路设计时必须 考虑其高可靠性、高性能、低成本的要求,人们对IC CAD软件统计容差 分析、优化设计、成品率、成本分析及可靠性预测的功能和精度要求也越 来越高。而在IC CAD软件中,MOSFET的器件模型是将IC设计和IC产 品功能与性能联系起来的关键纽带。伴随着集成器件尺寸越来越小,集成 规模越来越大,集成电路工序越来越复杂,对器件模型的精度要求也越来 越高。如何提供一个精确的MOSFET模型无疑已成为IC CAD设计者首要 解决的问题,一直也是国际上研究的重点和热点。
半导体器件中的多个性能参数都与温度有关,如载流子迁移率会随着 温度的变化产生很大的波动,温度对器件性能的影响是十分重要的,因此 器件模型一般都只适用于一定温度范围内,超过温度范围则仿真精度就不 会满足要求。现有技术中,仅仅在模型使用说明里对模型的适用温度范围 加以说明,而无法对用户在仿真中所采用的仿真温度加以限制,并不能从 根本上解决此问题,使用者仍然有可能在温度范围之外使用此模型进行仿 真,有可能对设计者造成误导。
发明内容
为了有效的解决上述问题,本发明提供了一种限制器件模型适用温度范 围的方法。该方法包括:
a)在器件模型中加入温度判断参数;
b)设置器件正常工作的温度范围;
c)将器件正常工作的温度范围设置为温度判断参数的范围,当仿真温度 处于温度范围之内时,此参数为1,当仿真温度处于温度范围之外时,此参 数为-1;
d)设置器件的固有参数与温度判断参数相关。
其中,在器件模型中加入温度判断参数的方法为设置子电路模型。
其中,所述固有参数的值为正时,器件模型正常工作,所述固有参数 的值为负时,器件模型停止工作。
其中,所述固有参数为模型中所有不能为负的参数。
其中,所述固有参数为器件的长度、宽度、电容、电阻中的一个和/ 或多个。
本发明所采用的限制器件模型适用温度范围的方法通过温度判断参数 把温度信息传递到器件尺寸上,当仿真温度在器件有效工作的温度范围内时, 器件尺寸不变,正常仿真,当不在温度范围内时,器件尺寸为负,停止仿真。 实际上,温度信息传递到任何不能为负的参数上,都可以解决此问题。此方 法有效的对仿真中器件模型的适用温度范围加以限制,而且可以人为的方便 的缩小器件模型的可使用温度范围。
附图说明
通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述,本发 明的其它特征、目的和优点将会变得更明显:
图1为本发明提供的限制器件模型适用温度范围方法的流程图。
附图中相同或相似的附图标记代表相同或相似的部件。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本 发明的实施例作详细描述。
下面详细描述本发明的实施例,所述实施例的示例在附图中示出,其 中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似 功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的,仅用于解释本 发明,而不能解释为对本发明的限制。
下文的公开提供了许多不同的实施例或例子用来实现本发明的不同 结构。为了简化本发明的公开,下文中对特定例子的部件和设置进行描述。 当然,它们仅仅为示例,并且目的不在于限制本发明。
本发明提供了一种限制器件模型适用温度范围的方法,下面将结合附图, 对本发明的一个实施例进行详细说明。
首先,在步骤S101中,在器件模型中加入温度判断参数。加入温度判断 参数的目的在于在器件模型中引入温度作为变量之一,以便对仿真温度进行 实时监测,当仿真温度超出器件工作的有效温度时,便于仿真系统作出相应 的反馈和处理。具体的,在器件模型中加入温度判断参数的方法为将器件模 型变为子电路模型,并在子电路模型中引入温度判断参数Tcheck。
接下来,如步骤S102所述,设置器件正常工作的温度范围[Tmin,Tmax], Tmin和Tmax分别为温度范围的下限和上限。为使器件能够有效工作的温度 范围,Tmin和Tmax可在仿真中根据器件和实际需要进行设置。在一个实施 例中,设置该温度范围为[-25,25]℃。在其他实施例中,所述温度范围可以 根据需要进行设定,如[0,25]℃,[-50,15]℃等等。
接下来,在步骤S103中,将器件正常工作的温度范围设置为温度判断参 数的范围,当仿真温度处于温度范围之内时,此参数为1,当仿真温度处于 温度范围之外时,此参数为-1。具体的,在本实施例中,实现这一功能的方 法为,将温度判断参数Tcheck设置为:
Tcheck=’(Temper-Tmin)*(Tmax-Temper)/abs((Temper-Tmin)*(Tmax-Tempe r))’
该设置使得当仿真温度在温度范围之内时,Tcheck为1,当超出范围时 Tcheck为-1。当然,Tcheck还可以通过其他的表达式进行设定,并不限于本 实施例中所述的表达式。
最后,在步骤S104中,设置器件的固有参数与温度判断参数相关。其中, 所述固有参数的值为正时,器件模型正常工作,所述固有参数的值为负时, 器件模型停止工作。所述固有参数为模型中所有不能为负的参数。如器件 的长度、宽度、电容、电阻中的一个和/或多个。在本实施例中,以器件的 栅极宽度作为固有参数,设置器件的W=‘W*Tcheck’,当Tcheck为1时, W=W,正常仿真,当Tcheck为-1时,W=-W,是一个负值,无法仿真,仿真 会立刻停止。在另一个实施例中,设置器件长度L=‘L*Tcheck’也可以实现 本发明的目的。具体的,本实施例中的器件模型中涉及制器件模型适用温度 范围的部分如下:
本发明所采用的限制器件模型适用温度范围的方法通过温度判断参数 把温度信息传递到器件尺寸上,当仿真温度在器件有效工作的温度范围内时, 器件尺寸不变,正常仿真,当不在温度范围内时,器件尺寸为负,停止仿真。 实际上,温度信息传递到任何不能为负的参数上,都可以解决此问题。此方 法有效的对仿真中器件模型的适用温度范围加以限制,而且可以人为的方便 的缩小器件模型的可使用温度范围。
上述实施例为本发明较佳的实施方式,但本发明的实施方式并不受上 述实施例的限制,其他的任何未背离本发明的精神实质与原理下所作的改 变、修饰、替代、组合、简化,均应为等效的置换方式,都包含在本发明 的保护范围之内。
机译: textilfreie,一种耐热,安全,食品安全的化学物质,用于底物不可渗透的聚合物,可在比常规对应包装更低的温度范围内使用,适用于单独的包装
机译: 一种温度限制装置,适用于混合了进水口和进水口的冷热液体的单杠杆阀
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