硼扩散层形成方法以及太阳能电池单元的制造方法

摘要

本发明提供使硅基板上形成的硼化硅层充分氧化而除去，同时可得到优质的硼硅玻璃层的硼扩散层形成方法。本发明是利用硼扩散工序，在硅基板上形成硼扩散层的硼扩散层形成方法，所述硼扩散工序包括：使硼在硅基板上热扩散的第1步骤、和使第1步骤中在硅基板上形成的硼化硅层氧化的第2步骤，在第2步骤中，具有15分钟以上的处于900℃以上且第1步骤的处理温度以下的温度的状态。