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上面具有IIIA-N族外延层的机械稳固硅衬底

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本申请案涉及一种上面具有IIIA-N族外延层的机械稳固硅衬底。一种形成外延物品的方法(100)包含使用柴可拉斯基(Czochralski)过程参数生长(101)具有3.2×10

著录项

公开/公告号CN104867811A

专利类型发明专利
公开/公告日2015-08-26

原文格式PDF
申请/专利权人德州仪器公司;
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申请/专利号CN201510079453.2
发明设计人迈克尔·路易斯·海登;托马斯·安东尼·麦克纳;里克·L·怀斯;萨米尔·彭德哈卡;
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申请日2015-02-13
分类号
代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司;
代理人林斯凯
地址美国德克萨斯州
入库时间 2023-12-18 10:36:06

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-10-17

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/02 申请公布日:20150826 申请日:20150213

发明专利申请公布后的视为撤回
2015-08-26

公开

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1. 上面具有IIIA-N族外延层的机械稳固硅衬底 [P] . 中国专利： CN104867811A . 2015-08-26
2. 用于族IIIA-N装置的非蚀刻性气体冷却外延堆叠 [P] . 中国专利： CN108352324A . 2018-07-31
3. Manufacturing method of group III nitride substrate, group III nitride substrate, group III nitride substrate with epitaxial layer, group III nitride device, manufacturing method of group III nidtride substrate with epitaxial layer, and manufacturing method of group III nitride device [P] . 欧洲知识产权局专利： EP1897978A1 . 2008-03-12

机译： III族氮化物衬底的制造方法，III族氮化物衬底，具有外延层的III族氮化物衬底，III族氮化物器件，具有外延层的III族氮化物衬底的制造方法以及III族氮化物器件的制造方法
4. Manufacturing method of group III nitride substrate, group III nitride substrate, group III nitride substrate with epitaxial layer, manufacturing method of group III nitride substrate with epitaxial layer, and manufacturing method of group III nitride device [P] . 美国专利： US2008057608A1 . 2008-03-06

机译： III族氮化物衬底的制造方法，III族氮化物衬底，具有外延层的III族氮化物衬底，具有外延层的III族氮化物衬底的制造方法以及III族氮化物器件的制造方法
5. MECHANICALLY ROBUST SILICON SUBSTRATE HAVING GROUP IIIA-N EPITAXIAL LAYER THEREON [P] . 美国专利： US2015243494A1 . 2015-08-27

机译：机械坚固的硅基质，其上具有IIIA-N族表层