半导体器件耐压终端结构及其应用于SiC器件的制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件耐压终端结构及其应用于SiC器件的制造方法，耐压终端结构包括：第一掺杂区，以及掺杂浓度相对于第一掺杂区较轻的第二掺杂区。半导体器件耐压终端结构的刻蚀剖面采用连续光滑曲面的台面结构，刻蚀剖面从第一掺杂区穿过在第一掺杂区和第二掺杂区的交界处形成势垒层，并平缓地过渡至位于第二掺杂区的非台面区域。制造方法包括淀积掩膜层、光刻、湿法腐蚀掩膜层和干法刻蚀半导体器件基底材料等步骤。本发明不但能够缓解电场集中的现象，从而提高器件的反向耐压，同时器件所占面积更小，在相同尺寸晶圆上可设计更多的器件。