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一种提升晶体硅太阳能电池效率减反射膜制备方法

摘要

本发明公开了一种提升晶体硅太阳能电池效率的减反射膜制备方法,通过在硅基衬底上沉积三层薄膜,所述各层薄膜分别是第一层为二氧化硅,厚度为2-10nm,第二层为厚度为10-20nm,折射率为2.32-2.4的氮化硅薄膜;第三层为厚度为50-60nm,折射率为2.00-2.045的氮化硅薄膜;本发明在原工艺基础上,增加第二层膜的折射率,降低第三层膜的折射率,无需增加任何设备和成本,有效地提高了镀膜的钝化效果,增强了减反射膜的减反射作用,提高了太阳能电池的光电转化效率。

著录项

  • 公开/公告号CN104851923A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-08-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上饶光电高科技有限公司;

    申请/专利号CN201510187007.3

  • 申请日2015-04-20

  • 分类号

  • 代理机构江西省专利事务所;

  • 代理人杨志宇

  • 地址 334100 江西省上饶市上饶经济开发区旭日片区

  • 入库时间 2023-12-18 10:21:38

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-02-09

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L31/0216 申请公布日:20150819 申请日:20150420

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2015-11-18

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/0216 申请日:20150420

    实质审查的生效

  • 2015-08-19

    公开

    公开

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