一种在柔性衬底上制备硅纳米线阵列的方法

摘要

本发明涉及新能源中薄膜太阳电池的技术领域，尤其涉及一种在不锈钢柔性衬底上制备硅纳米线阵列的方法。1)在不锈钢柔性衬底上采用磁控溅射方法沉积一层掺锡氧化铟(ITO)薄膜；2)将步骤1)得到的不锈钢柔性衬底转移至反应腔室，利用氢气等离子体刻蚀方法对ITO薄膜进行刻蚀处理而得到铟金属的纳米颗粒；3)在步骤2)得到的不锈钢柔性衬底上采用等离子体辅助化学气相沉积(PECVD)技术生长硅纳米线(包括i型、p型和n型硅纳米线)。本发明提出的这种在柔性衬底上制备硅纳米线阵列的方法，采用等离子体辅助化学气相沉积系统，处理过程简便易行，低温低能耗，并且硅纳米线的生长和硅薄膜的沉积互相兼容，非常方便进一步制作硅薄膜器件。