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公开/公告号CN101519799B
专利类型发明专利
公开/公告日2012-11-21
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;
申请/专利号CN200810100953.X
发明设计人 魏同波;段瑞飞;霍自强;王军喜;曾一平;李晋闽;
申请日2008-02-27
分类号C30B29/38(20060101);C30B29/40(20060101);C30B25/18(20060101);
代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;
代理人周国城
地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号
入库时间 2022-08-23 09:12:10
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2012-11-21
授权
2009-10-28
实质审查的生效
2009-09-02
公开
机译: 在R平面蓝宝石衬底上制备非极性A平面氮化镓(GAN)薄膜的方法
机译: Si衬底上非极性GAN的生长方法
机译: 由蓝宝石衬底上的沟槽图案化的GaN层制造GaN衬底的结构和方法
机译:通过脉冲激光沉积在r面蓝宝石衬底上外延生长非极性GaN膜
机译:各种无掩模图案化蓝宝石衬底上蓝宝石侧壁的非极性和半极性GaN层的生长机理
机译:RF-MBE在r面蓝宝石衬底上的非极性a面GaN中的生长温度诱导效应
机译:r面蓝宝石衬底上生长的非极性AlGaN / GaN量子阱发出的强紫外线
机译:以极性,半极性和非极性方向生长的InGaN / GaN多量子阱发光二极管。
机译:R平面蓝宝石上外延横向过生长非极性a平面GaN的空间分辨和依赖于方向的拉曼映射
机译:(1 01 2)r平面蓝宝石衬底上非极性(1 12 0)a平面GaN的MOCVD生长和光学性质
机译:(0001)和(0112)蓝宝石衬底上GaN薄膜物理性质的比较