一种低电阻温度系数、高电阻率氮化钽与钽多层膜的制备方法

摘要

本发明提供了一种制备低电阻温度系数和高电阻率的TaN/Ta多层膜的制备方法，包括以下步骤：a.清洗绝缘基板后，并在清洗后的绝缘基板上采用丝网印刷技术沉积银电极或者银钯等电极，作为匹配电极与接地电极；b.真空热处理；c.充入氮气与氩气，溅射氮化钽膜电阻层；d.溅射钽膜电阻层；e.依次重复步骤c与步骤d若干次；f.TaN/Ta多层膜制备好后，从腔体取出基片，把基片放入真空退火炉中进行老化处理，老化温度为200℃，时间30min，增加多层膜的稳定性。本发明的有益效果是：本发明采用的是射频反应磁控溅射系统，可以解决常规直流溅射系统中靶材表面中毒而导致的弧光放电、打火甚至灭弧现象，稳定性大大改善，同时沉积速率足够快，有利于产业化制备。