法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-06-08
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L21/28 申请公布日:20150617 申请日:20150320
发明专利申请公布后的驳回
2015-07-15
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/28 申请日:20150320
实质审查的生效
2015-06-17
公开
公开
机译: 通过重掺杂多晶硅前栅极和后栅极清洁来改善器件性能
机译: 通过重掺杂多晶硅前栅极和后栅极清洁来改善器件性能
机译: 利用结晶硅部分和非晶硅部分之间的刻蚀速率差异来制造由多晶硅层制成的半导体层的底部栅极型多晶硅TFT器件的方法