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改善刻蚀腔体养护后多晶硅栅极关键尺寸稳定性的方法

摘要

一种改善刻蚀腔体养护后多晶硅栅极关键尺寸稳定性的方法,包括:提供等离子体反应刻蚀腔体和半导体结构;进行多晶硅栅极刻蚀处理,在多晶硅栅极刻蚀处理过程中利用硬质掩模层修饰工艺控制多晶硅栅极关键尺寸线宽大小;对等离子体反应刻蚀腔体进行维护保养,在维护保养时更换表面有Y

著录项

  • 公开/公告号CN104716033A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-06-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华力微电子有限公司;

    申请/专利号CN201510125942.7

  • 申请日2015-03-20

  • 分类号

  • 代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人王宏婧

  • 地址 201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号

  • 入库时间 2023-12-18 09:28:35

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-06-08

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L21/28 申请公布日:20150617 申请日:20150320

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2015-07-15

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/28 申请日:20150320

    实质审查的生效

  • 2015-06-17

    公开

    公开

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