电感器、MMIC

摘要

本发明的目的是提供一种将在大于或等于3层的奇数层形成的绕组重叠而成的电感器，能够利用简单的结构与端子连接。具有：第1绕组；输入端子，其与该第1绕组最外周部分电连接；第1绝缘膜，其在该第1绕组之上以覆盖该第1绕组的方式形成；第2绕组，其形成于该第1绝缘膜之上；第2绝缘膜，其在该第2绕组之上以覆盖该第2绕组的方式形成；漩涡状第3绕组，其形成于该第2绝缘膜之上；多个连接导体，它们在多个部位将该第1绕组与该第2绕组以越是该第1绕组和该第2绕组外侧部分越先传送信号的方式连接；中央部连接导体，其将该第1绕组中央部分或该第2绕组中央部分与该第3绕组中央部分连接；以及输出端子，其与该第3绕组最外周部分电连接。

说明书

技术领域

本发明涉及例如高频无线仪器或高频雷达仪器等使用的高频设 备所采用的电感器和MMIC(Monolithic Microwave Integrated  Circuit)。

背景技术

专利文献1公开了重叠3层绕组而成的螺旋状的电感器。第1 层绕组、第2层绕组以及第3层绕组分别形成为漩涡状。为了将第3 层绕组的中央部与电感器的外部连接，在第3层绕组形成有空气桥。

专利文献1：日本特开2000－269418号公报

专利文献2：国际公开第2008/016089号

专利文献3：日本特开2003－78017号公报

有时在3层中形成绕组，通过它们形成电感器。该电感器的最 下层的绕组与输入端子连接，最上层的绕组与输出端子连接。如果将 3层绕组形成为漩涡状，则信号从最下层绕组的外侧部分向内侧部分 流动，然后从中间层的绕组的内侧部分向外侧部分流动，最后从最上 层的绕组的外侧部分向内侧部分流动。因此存在下述问题：为了将最 上层的绕组与输出端子连接，而需要专利文献1公开的空气桥那样的 复杂结构。不限于形成有3层绕组的情况，对于在大于或等于3层的 奇数层(例如5层)中形成有绕组的电感器，也存在同样的问题。

发明内容

本发明就是为了解决上述课题而提出的，其目的是，提供一种 电感器以及采用该电感器的MMIC，该电感器能够以简单的结构实现 与端子的连接，在大于或等于3层的奇数层中形成有绕组。

本发明所涉及的电感器的特征在于，具有：第1绕组；输入端 子，其与该第1绕组的最外周部分电连接；第1绝缘膜，其在该第1 绕组之上以覆盖该第1绕组的方式形成；第2绕组，其形成于该第1 绝缘膜之上；第2绝缘膜，其在该第2绕组之上以覆盖该第2绕组的 方式形成；漩涡状的第3绕组，其形成于该第2绝缘膜之上；多个连 接导体，它们在多个部位将该第1绕组与该第2绕组以越是该第1 绕组和该第2绕组的外侧部分越先传送信号的方式连接；中央部连接 导体，其将该第1绕组的中央部分或该第2绕组的中央部分与该第3 绕组的中央部分连接；以及输出端子，其与该第3绕组的最外周部分 电连接。

本发明所涉及的其他电感器的特征在于，具有：漩涡状的第1 绕组；输入端子，其与该第1绕组的最外周部分电连接；第1绝缘膜， 其在该第1绕组之上以覆盖该第1绕组的方式形成；第2绕组，其形 成于该第1绝缘膜之上；第2绝缘膜，其在该第2绕组之上以覆盖该 第2绕组的方式形成；第3绕组，其形成于该第2绝缘膜之上；中央 部连接导体，其将该第1绕组的中央部分与该第2绕组的中央部分或 该第3绕组的中央部分连接；多个连接导体，它们在多个部位将该第 2绕组与该第3绕组以越是该第2绕组和该第3绕组的内侧部分越先 传送信号的方式连接；以及输出端子，其与该第3绕组的最外周部分 电连接。

本发明所涉及的MMIC的特征在于，具有：基板；晶体管，其 形成于该基板；电阻元件，其形成于该基板；电容器，其形成于该基 板；以及电感器，其形成于该基板，该电感器具有：第1绕组；输入 端子，其与该第1绕组的最外周部分电连接；第1绝缘膜，其在该第 1绕组之上以覆盖该第1绕组的方式形成；第2绕组，其形成于该第 1绝缘膜之上；第2绝缘膜，其在该第2绕组之上以覆盖该第2绕组 的方式形成；漩涡状的第3绕组，其形成于该第2绝缘膜之上；多个 连接导体，它们在多个部位将该第1绕组与该第2绕组以越是该第1 绕组和该第2绕组的外侧部分越先传送信号的方式连接；中央部连接 导体，其将该第1绕组的中央部分或该第2绕组的中央部分与该第3 绕组的中央部分连接；以及输出端子，其与该第3绕组的最外周部分 电连接。

本发明所涉及的其他MMIC的特征在于，具有：基板；晶体管， 其形成于该基板；电阻元件，其形成于该基板；电容器，其形成于该 基板；以及电感器，其形成于该基板，该电感器具有：漩涡状的第1 绕组；输入端子，其与该第1绕组的最外周部分电连接；第1绝缘膜， 其在该第1绕组之上以覆盖该第1绕组的方式形成；第2绕组，其形 成于该第1绝缘膜之上；第2绝缘膜，其在该第2绕组之上以覆盖该 第2绕组的方式形成；第3绕组，其形成于该第2绝缘膜之上；中央 部连接导体，其将该第1绕组的中央部分与该第2绕组的中央部分或 该第3绕组的中央部分连接；多个连接导体，它们在多个部位将该第 2绕组与该第3绕组以越是该第2绕组和该第3绕组的内侧部分越先 传送信号的方式连接；以及输出端子，其与该第3绕组的最外周部分 电连接。

发明的效果

根据本发明，对最上层的下方的层的绕组连接进行调整，以使 得能够将信号输入至最上层绕组的内侧部分，因此，能够提供一种电 感器以及采用该电感器的MMIC，该电感器能够以简单的结构实现与 端子的连接。

附图说明

图1是实施方式1所涉及的电感器的斜视图。

图2是图1的II–II虚线处的剖面图。

图3是表示频率特性的图。

图4是实施方式2所涉及的电感器的第1绕组的俯视图。

图5是实施方式2所涉及的电感器的第2绕组的俯视图。

图6是实施方式2所涉及的电感器的第3绕组的俯视图。

图7是重叠表示第1～第3绕组的俯视图。

图8是图7的VIII–VIII虚线处的剖面图。

图9是实施方式2所涉及的电感器的俯视图。

图10是实施方式3所涉及的电感器的斜视图。

图11是实施方式4所涉及的电感器的斜视图。

图12是实施方式5所涉及的电感器的斜视图。

图13是实施方式6所涉及的电感器的剖面图。

图14是表示频率特性的图。

图15是实施方式7所涉及的电感器的剖面图。

图16是表示频率特性的图。

标号的说明

10电感器，12输入端子，14输出端子，16第1绕组，16a、 16b配线，18第2绕组，18a、18b配线，20第3绕组，20a、20b配 线，22、24连接导体，26中央部连接导体，30半导体基板，32第 1绝缘膜，34第2绝缘膜

具体实施方式

参照附图，对本发明的实施方式所涉及的电感器进行说明。对 相同或对应的结构要素，标注相同的标号，有时省略重复说明。

实施方式1

图1是本发明的实施方式1所涉及的电感器10的斜视图。电感 器10构成螺旋式电感器，其将信号从输入端子12向输出端子14传 送。

电感器10具有同心圆状的第1绕组16。第1绕组16具有配线 16a、16b。第1绕组16的最外周部分与输入端子12电连接。在第1 绕组16的上层形成有漩涡状的第2绕组18。第2绕组18具有配线 18a、18b。在第2绕组18的上层形成有漩涡状的第3绕组20。第3 绕组20具有配线20a、20b。第3绕组20的最外周部分与输出端子 14电连接。

对第1绕组16与第2绕组18的连接进行说明。第1绕组16与 第2绕组18以越是第1绕组16和第2绕组18的外侧部分越先传送 信号的方式连接。具体来说，利用连接导体22，将作为第1绕组16 的外侧部分的配线16b与作为第2绕组18的外侧部分的配线18b连 接。并且，利用连接导体24，将作为第1绕组16的内侧部分的配线 16a与作为第2绕组18的内侧部分的配线18a连接。

对第3绕组20与第1绕组16的连接进行说明。第1绕组16的 中央部分(配线16a)与第3绕组20的中央部分(配线20a)通过中 央部连接导体26连接。

对电感器10的信号的流动进行说明。从输入端子12输入的信 号首先在配线16b上传送，经由连接导体22在配线18b上传送。即， 在第1绕组16和第2绕组18的外侧部分传送。然后，在配线18a 上传送，经由连接导体24在配线16a上传送。即，在第1绕组16 和第2绕组18的内侧部分传送。然后，信号经由中央部连接导体26 从第3绕组20的内侧部分向外侧部分传送，输出至输出端子14。

图2是图1的II–II虚线处的剖面图。图2是表示第1～第3绕组 的相对位置、第1绕组16和第2绕组18之间的结构、以及第2绕组 18和第3绕组20之间的结构的图。第1绕组16形成于半导体基板 30之上。半导体基板30的材料不特别地限定，但例如是GaAs、Si、 SiGe、SiC或GaN。在第1绕组16之上以覆盖第1绕组16的方式形 成有第1绝缘膜32。第1绝缘膜32具有：绝缘膜32a，其用于对第 1绕组16赋予耐湿性；以及电介体膜32b。绝缘膜32a由例如SiN 形成。电介体膜32b由例如聚酰亚胺形成。

在第1绝缘膜32之上形成有第2绕组18。在第2绕组18之上 以覆盖第2绕组18的方式形成有第2绝缘膜34。第2绝缘膜34具 有：绝缘膜34a，其用于对第2绕组18赋予耐湿性；以及电介体膜 34b。绝缘膜34a由例如SiN形成。电介体膜32b由例如聚酰亚胺形 成。

在第2绝缘膜34之上形成有第3绕组20。从图2可知，第2 绕组18形成为避开第1绕组16的正上方。另外，第3绕组20形成 于第1绕组16的正上方。此外，所述连接导体22、24形成于使第1 绝缘膜32开口而成的接触孔中，中央部连接导体26形成于使第1 绝缘膜32和第2绝缘膜34开口而成的接触孔中。

根据本发明的实施方式1所涉及的电感器10，第1绕组16与第 2绕组18利用连接导体22、24以越是第1绕组16和第2绕组18的 外侧部分越先传送信号的方式连接。因此，能够通过中央部连接导体 26将第1绕组16的中央部分(配线16a)与第3绕组20的中央部分 (配线20a)连接，将信号从第3绕组20的内侧部分向外侧部分传 送。由此，能够在第1绕组16的最外周部分连接输入端子12，并且 在第3绕组20的最外周部分连接输出端子14。即，能够通过不需要 空气桥等复杂结构的简单结构，将电感器10与端子连接。

第2绕组18形成为避开第1绕组16的正上方，第3绕组20形 成于第1绕组16的正上方。即，第1绕组16和第2绕组18在俯视 观察时不重叠，第2绕组18和第3绕组20在俯视观察时不重叠。由 此，能够防止第1绕组16和第2绕组18之间、以及第2绕组18和 第3绕组20之间的耦合电容的增加。

在这里，将在2层中形成绕组的、具有与电感器10相同匝数的 电感器作为对比例。图3是表示电感器10和对比例的电感器的频率 特性的图。电感器10和对比例的电感器的截止频率大致相等。由此， 具有新构造的电感器10具有与在2层中形成绕组的现有构造的对比 例的电感器大致等同的频率特性。

在本发明的实施方式1中，将第1绕组16的中央部分与第3绕 组20的中央部分通过中央部连接导体26连接，但也可以将第2绕组 18的中央部分与第3绕组20的中央部分通过中央部连接导体连接。

将第1绕组16与第2绕组18连接的连接导体的数量不限定于2 个。只要是具有多个连接导体，它们以越是第1绕组16和第2绕组 18的外侧部分越先传送信号的方式，在多个部位将第1绕组16与第 2绕组18连接即可，对于连接导体的数量不特别地限定。

在本发明的实施方式1中，将第1绕组16形成为同心圆状，将 第2绕组18形成为漩涡状。但是，只要形成为越是第1绕组16和第 2绕组18的外侧部分越先传送信号，则不特别地限定将第1绕组和 第2绕组形成为同心圆状还是形成为漩涡状。

所谓MMIC是将晶体管、电阻元件、电感器及电容器形成于同 一基板的器件。通过电阻元件、电感器及电容器等被动元件来形成匹 配电路的情形较为多见。在上述MMIC中，占据了大面积的螺旋式 电感器阻碍了MMIC的小型化，但是通过采用本发明的实施方式1 所涉及的电感器10，能够将MMIC小型化。因此，优选将电感器10 搭载于MMIC。此外，这些变形也能够应用于以下的实施方式所涉及 的电感器及MMIC。

实施方式2

本发明的实施方式2所涉及的电感器，在越是第1绕组和第2 绕组的外侧部分越先传送信号这一点上与实施方式1的电感器10相 同，但与电感器10相比，使各绕组的匝数增加。图4是本发明的实 施方式2所涉及的电感器的第1绕组50的俯视图。形成为同心圆状 的第1绕组50具有作为最外周部分的配线51。配线51的一端与输 入端子12连接，另一端是连接部51a。

在配线51的内侧形成有配线52，该配线52的一端是连接部52a， 另一端是连接部52b。在配线52的内侧形成有配线53，该配线53 的一端是连接部53a，另一端是连接部53b。在配线53的内侧形成有 配线54，该配线54的一端是连接部54a，另一端是连接部54b。在 配线54的内侧形成有配线55，该配线55的一端是连接部55a，另一 端是连接部55b。

图5是本发明的实施方式2所涉及的电感器的第2绕组60的俯 视图。形成为同心圆状的第2绕组60具有配线61，作为最外周部分。 配线61的一端是连接部61a，另一端是连接部61b。在配线61的内 侧形成有配线62，该配线62的一端是连接部62a，另一端是连接部 62b。在配线62的内侧形成有配线63，该配线63的一端是连接部63a， 另一端是连接部63b。在配线63的内侧形成有配线64，该配线64 的一端是连接部64a，另一端是连接部64b。

图6是本发明的实施方式2所涉及的电感器的第3绕组70的俯 视图。形成为漩涡状的第3绕组70具有配线72，该配线72的一端 是形成于第3绕组70的中央部的连接部72a，另一端(最外周部分) 与输出端子14连接。

第1绕组50与第2绕组60以越是第1绕组50和第2绕组60 的外侧部分越先传送信号的方式连接。即，第1绕组50的连接部51a、 52a、52b、53a、53b、54a、54b、55a分别通过连接导体与第2绕组 的61a、61b、62a、62b、63a、63b、64a、64b连接。并且，第1绕 组50的中央部分(连接部55b)经由连接部65利用中央部连接导体 与第3绕组70的中央部分(连接部72a)连接。

对实施方式2所涉及的电感器的信号的流动进行说明。从输入 端子12输入的信号首先在配线51上传送，经由连接部51a和连接部 61a在配线61上传送。然后，信号经由连接部61b和连接部52a在 配线52上传送。然后，信号经由连接部52b和连接部62a在配线62 上传送。然后，信号经由连接部62b和连接部53a在配线53上传送。 然后，信号经由连接部53b和连接部63a在配线63上传送。然后， 信号经由连接部63b和连接部54a在配线54上传送。然后，信号经 由连接部54b和连接部64a在配线64上传送。然后，信号经由连接 部64b和连接部55a在配线55上传送，到达连接部55b。

然后，信号从连接部55b通过中央部连接导体经由连接部65到 达第3绕组70的中央部(连接部72a)。最后，信号从第3绕组70 的内侧部分向外侧部分传送，到达输出端子14。

图7是将第1～第3绕组50、60、70重叠表示的电感器90的俯 视图。图8是图7的VIII–VIII虚线处的剖面图。如图8所示，第2 绕组60的配线61、62、63、64形成为避开第1绕组50的配线51、 52、53、54、56的正上方，第3绕组70的配线72形成于配线51、 52、53、54、55的正上方。

图9是实施方式2所涉及的电感器90的俯视图。虚线表示在2 层中形成绕组的、与电感器90匝数相同的电感器的外形。由于在需 要高电感的情况下需要增加电感器的匝数，所以电感器的面积很容易 增加。由于在现有技术中难以利用简单的结构制造在3层中形成绕组 的电感器，因此在使匝数增加的情况下，不得不在2层中形成绕组。 因此，如图9的虚线所示，电感器大型化。

但是，本发明的实施方式2所涉及的电感器90，通过采用越是 第1绕组和第2绕组的外侧部分越先传送信号的结构，从而成为能够 利用简单的结构实现与端子的连接的、3层构造的电感器。因此，如 图9所示，能够提供小型的电感器90。

实施方式3

图10是本发明的实施方式3所涉及的电感器100的斜视图。电 感器100是在实施方式1的电感器10的基础上增加了追加构造102 的电感器。在第1绕组16的下层形成有第1追加绕组104和第2追 加绕组106。

第1追加绕组104具有在最外周部分与输入端子12连接的漩涡 状的形状。在第1追加绕组104上方以漩涡状的形状形成有第2追加 绕组106。在第1追加绕组104和第2追加绕组106之间形成有绝缘 体。第1追加绕组104的中央部分与第2追加绕组106的中央部分通 过追加中央部连接导体108连接。并且，第1绕组16的最外周部分 与第2追加绕组106的最外周部分通过追加连接导体110电连接。

电感器100通过包含2层构造的追加构造102和3层构造的电 感器10，从而作为整体成为5层构造。追加连接导体110的一部分 以虚线表示的原因是，为了表示出可以在该部分追加任意数量的追加 构造102。例如在形成有N个追加构造102的情况下，作为电感器整 体，形成有绕组的层有3+2N层。

此外，在该虚线部分，不仅能够插入追加构造102，还能够插入 匝数为1的环状绕组。在形成有例如1个环状绕组和1个追加构造 102的情况下，作为电感器整体，形成有绕组的层有6层。但是，如 果形成有绕组的层的总数为偶数，则能够将全部绕组形成为漩涡状， 因此，采用本发明的构造将缺乏实际益处。因此，优选本发明应用于 形成有绕组的层的总数为大于或等于3层的奇数层(例如5层、7层 等)的电感器。

电感器100的电感大于电感器10，相差的量与追加构造102相 对应。但是，电感器100和电感器10所占据的面积相等。因此，电 感器100适用于有以小面积实现大电感的要求的MMIC用途。而且， 通过增加或减少追加构造102的数量，能够设定任意的电感。

实施方式4

图11是本发明的实施方式4所涉及的电感器150的斜视图。电 感器150具有漩涡状的第1绕组152。第1绕组152的最外周部分与 输入端子12电连接。第1绕组152具有配线152a、152b。

在第1绕组152的上方形成有同心圆状的第2绕组154。第2 绕组154具有配线154a、154b。在第2绕组154的上方形成有同心 圆状的第3绕组156。第3绕组156具有配线156a、156b。第3绕组 156的最外周部分与输出端子14电连接。

与实施方式1同样地，在第1绕组152之上以覆盖第1绕组152 的方式形成有第1绝缘膜，在第2绕组154之上以覆盖第2绕组154 的方式形成有第2绝缘膜。因此，在第1绝缘膜之上形成有第2绕组 154，在第2绝缘膜之上形成有第3绕组156。

第1绕组152的中央部分(配线152a)与第2绕组154的中央 部分(配线154a)通过中央部连接导体160连接。第2绕组154与 第3绕组156通过多个连接导体162、164、166，以越是第2绕组154 和第3绕组156的内侧部分越先传送信号的方式连接。即，通过连接 导体162，将作为第2绕组154的内侧部分的配线154a与作为第3 绕组156的内侧部分的配线156a连接。通过连接导体164将配线156a 与作为第2绕组154的外侧部分的配线154b连接。通过连接导体166 将配线154b与作为第3绕组156的外侧部分的配线156b连接。

从输入端子12输入的信号首先在第1绕组152传送。然后，信 号经由中央部连接导体160在配线154a上传送，经由连接导体162 在配线156a上传送。即，信号在第2绕组154和第3绕组156的内 侧部分传送。然后，信号经由连接导体164在配线154b上传送，经 由连接导体166在配线156b上传送，输出至输出端子14。即，信号 在第2绕组154和第3绕组156的外侧部分传送。

第2绕组154与第3绕组156通过多个连接导体162、164、166 以越是第2绕组154和第3绕组156的内侧部分越先传送信号的方式 连接。由此，能够将信号从第3绕组156的内侧部分向外侧部分传送。 因此，电感器150能够在第1绕组152的最外周部分与输入端子12 连接，并在第3绕组156的最外周部分与输出端子14连接，因此， 是不需要空气桥等复杂结构的、非常简单的结构。

通过变更电感器150的多个连接导体的数量或配置，从而能够 容易地变更电感。例如，能够将第1绕组152预先形成为通用规格， 针对电感不同的产品分别制作多个连接导体。

中央部连接导体160也可以不将第1绕组152的中央部分与第2 绕组154的中央部分连接，而是将第1绕组152的中央部分与第3 绕组156的中央部分(配线156a)连接。只要在多个部位将第2绕 组154与第3绕组156连接的多个连接导体162、164、166是越是第 2绕组154和第3绕组156的内侧部分越先传送信号的方式即可，也 可以是其它结构。

在本发明的实施方式4中，将第2绕组154和第3绕组156形 成为同心圆状，但是，只要形成为越是第2绕组154和第3绕组156 的内侧部分越先传送信号，则不特别地限定将第2绕组154和第3 绕组156形成为同心圆状还是形成为漩涡状。

实施方式5

图12是本发明的实施方式5所涉及的电感器200的斜视图。电 感器200是在实施方式4的电感器150的基础上增加了实施方式3 的追加构造102的电感器。电感器200的电感大于电感器150，相差 的量与追加构造102相对应。但是，电感器150和电感器200所占据 的面积相等。因此，电感器200适用于有以小面积实现大电感的要求 的MMIC用途。而且，通过增加或减少追加构造102的数量，能够 设定任意的电感。

实施方式6

本发明的实施方式6所涉及的电感器，涉及将实施方式2所涉 及的电感器90的第2绕组的位置进行变更后的电感器。图13是本发 明的实施方式6所涉及的电感器250的剖面图。配线61A位于配线 51的正上方、配线72的正下方。配线62A位于配线52的正上方、 配线72的正下方。即，第2绕组的一部分(配线61A、62A)位于 第1绕组的正上方、第3绕组的正下方。此外，第2绕组的一部分(配 线61A、62A)是与第1绕组平行地延伸的部分。因此，配线61A、 62A与配线51、52以固定的距离平行地延伸，而并非单纯地交叉。

电感器250由于如上所述构成，所以与实施方式2的电感器90 相比，具有配线间距离近的部分。由此，能够增加绕组间的耦合电容。 图14是表示实施方式6的电感器250和实施方式2的电感器90的频 率特性的图。与电感器90的截止频率相比，电感器250的截止频率 移向低频侧。

如电感器250所示，通过使第2绕组的一部分与第2绕组的其 它部分相比靠近第1绕组及第3绕组，从而能够改变电感器250的频 率特性。例如，想到将电感器250作为放大器等的匹配电路或滤波器 电路而搭载于MMIC上的情况。在此情况下，由于晶体管的制造波 动而可能产生特性变化，但能够对配线间距离进行修正，以不引起该 特性变化。修正配线间距离与改变电感器的匝数相比更容易。

在电感器250中，采用了将配线61A、62A作为配线间距离变 近的配线，但是，也可以采用其他配线而设置配线间距离近的部分。 此外，如果将第2绕组的配线设置于第1绕组的正上方、第3绕组的 正下方，则能够使相对于第1绕组的耦合电容和相对于第3绕组的耦 合电容同时改变，因此效率高。

实施方式7

本发明的实施方式7所涉及的电感器，涉及将实施方式2所涉 及的电感器90的第2绕组和第3绕组的位置进行变更后的电感器。 图15是本发明的实施方式7所涉及的电感器300的剖面图。配线61B 仅经由绝缘膜32a与配线51接触。配线61B通过将电介体膜32b的 一部分开口并填埋该开口而形成。配线62A、63、64经由绝缘膜32a 和电介体膜32b与第1绕组接触。因此，第1绕组和第2绕组的垂直 距离(最短距离)随着位置的不同而不同。

第3绕组的配线72A仅经由绝缘膜34a与配线62A接触。配线 72A通过将电介体膜34b的一部分开口并填埋该开口而形成。配线 72的除了配线72A以外的部分经由绝缘膜34a和电介体膜34b与第 2绕组接触。因此，第2绕组和第3绕组的垂直距离(最短距离)随 着位置的不同而不同。

如上所述，配线61B和配线51仅经由绝缘膜32a接触，因此， 能够增加第1绕组和第2绕组的耦合电容。另外，配线72A和配线 62A仅经由绝缘膜34a接触，因此，能够增加第2绕组和第3绕组的 耦合电容。图16是表示实施方式7所涉及的电感器300、实施方式6 的电感器250、实施方式2的电感器90的频率特性的图。根据电感 器300，与电感器250及电感器90相比能够使截止频率移向低频侧。

此外，随着希望实现的频率特性的不同，也可以采用配线61B 和配线72A中的某一个。至此为止说明的各实施方式所涉及的电感 器和MMIC的特征，也可以适当地组合。