一种具有低反射率黑硅的太阳能电池制备方法

摘要

本发明公开了一种具有低反射率黑硅的太阳能电池制备方法，包括用硝酸银、双氧水、氢氟酸以及表面活性剂混合反应体系制备黑硅；将制备的黑硅浸入硝酸中初步去除黑硅表面残留的银；将初步去除了银的黑硅浸入盐酸中进一步去除黑硅表面残留的银；将制得的黑硅置于扩散炉中；通入氮气和氧气对黑硅表面进行氧化；通入携带三氯氧磷的氮气对黑硅表面进行修正，并同时在黑硅表面制备p-n结；将扩散后的黑硅去除表面的磷硅玻璃层，表面沉积氮化硅薄膜，丝网印刷正背面电极，烧结制备出具有低反射率的黑硅太阳能电池。本发明对目前单晶以及多晶制绒线稍加更改即可完成，可有效降低黑硅表面的缺陷态密度以提高少数载流子寿命。