提高隧道结薄膜磁电阻效应的制备方法

摘要

本发明涉及一种隧道结(MTJ)薄膜的制备方法，其公开了一种可以提高巨磁电阻效应的隧道结薄膜的制备方法，包括如下步骤：(a)在基底上依次沉积底电极层、反铁磁层、钉扎铁磁层、隧穿层、自由铁磁层；(b)对制备的底电极层、反铁磁层、钉扎铁磁层、隧穿层、自由铁磁层进行退火工艺处理；(c)退火工艺处理完毕沉积顶电极层。本发明的有益效果是：本发明的磁性随机存储器被广泛应用于军事、民事等领域，其结构为具有隧道结磁电阻效应的磁性隧道结，为了进一步提高磁性随机存储器的存储密度，极大提高隧道结的磁电阻效应；发明重新设计隧道结的制备流程，避免顶电极层与自由铁磁层间的扩散，制备的隧道结薄膜可以提高磁电阻效应。