一种使用两步法生长光电材料和器件的方法

摘要

本发明综合利用磁控溅射技术和金属有机物化学气相沉积技术，针对目前技术实现上低温成核的质量较难控制而晶体质量提升困难的问题进行了深入研究和改进，提出一种两步法生长光电材料和器件的方法。该方法首先利用磁控溅射在衬底上外延与衬底材料不同而与后续外延材料晶格失配度<10％的材料，作为后续生长的成核层，该材料为多晶或非晶，厚度在1nm-10um；然后把生长了成核层的衬底送入MOCVD设备内，温度为700-1250度，压力为0-1040mbar进行高温处理后，再进行后续的器件结构生长。