首页> 中国专利> 一种牺牲二氧化硅基质法合成中空分子印迹聚合物的方法

一种牺牲二氧化硅基质法合成中空分子印迹聚合物的方法

摘要

一种牺牲二氧化硅基质法合成中空分子印迹聚合物的方法,属于分析检测技术领域。为了寻找一种科学准确检测、定量氟喹诺酮类(FQs)在动物源性食品家畜、家禽和水产动物残留超标,采用牺牲二氧化硅基质法合成中空分子印迹聚合物即采用牺牲硅胶模板法,合成具有高传质动力学、高选择性、高亲和力的中空材料作为吸附剂,用来富集和选择性分离氟喹诺酮类药物,结合HPLC-UV检测,取得了很好的效果。

著录项

  • 公开/公告号CN104672378A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-06-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 甘肃省产品质量监督检验中心;

    申请/专利号CN201310632995.9

  • 发明设计人 周春红;汤万进;张海霞;

    申请日2013-12-03

  • 分类号C08F222/14(20060101);C08F220/06(20060101);C08F2/44(20060101);C08K9/06(20060101);C08K3/36(20060101);C08J9/26(20060101);B01J20/26(20060101);B01J20/30(20060101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 730000 甘肃省兰州市城关区金昌南路208号

  • 入库时间 2023-12-18 08:59:18

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-10-31

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C08F222/14 申请公布日:20150603 申请日:20131203

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2016-01-27

    实质审查的生效 IPC(主分类):C08F222/14 申请日:20131203

    实质审查的生效

  • 2015-06-03

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号