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CMOS工艺恒定增益放大器

摘要

CMOS工艺恒定增益放大器,包括输入级对管和负载,其特征在于:所述输入级对管的非公共端之间还连接有阻值R符合GM*R>A的电阻器件,其中GM为输入级对管跨导,A为预设的离散参数。采用本发明所述CMOS工艺恒定增益放大器,用于电阻器件对流过两个差分之路的电流进行分流,使输入级的漏极电压近似,从而对输入级对管的跨导进行了平衡,运算放大器的增益跟随输入差分电压变化而的幅度大大缩小。

著录项

  • 公开/公告号CN104467719A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-03-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 何阳;

    申请/专利号CN201310424308.4

  • 发明设计人 何阳;

    申请日2013-09-18

  • 分类号H03G3/30;

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 610000 四川省成都市武侯区一环路南一段24号

  • 入库时间 2023-12-18 08:49:45

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-05-10

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H03G3/30 申请公布日:20150325 申请日:20130918

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2015-03-25

    公开

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