一种二元梯度掺杂BST薄膜的制备方法

摘要

针对常规BST薄膜居里温度(Tc)范围窄导致铁电相或顺电相单相结构，从而导致BST薄膜综合介电性能难以提高的技术问题，本发明提供了一种二元梯度掺杂BST薄膜的制备方法，属于功能材料技术领域。通过对(Ba+Sr)/Ti摩尔比，掺杂元素、浓度、梯度与方向以及薄膜设计、预热处理与膜厚(或层数)的控制，制备Tc范围拓宽的二元梯度掺杂BST薄膜，具有铁电相和顺电相复合结构，获得介电常数小于240、调谐率大于25％、介电损耗小于0.63％及介温系数小于0.0024/K的优异综合性能。该方法方便、快捷、廉价、高效，制备的二元梯度掺杂BST薄膜能实现在微波调谐器件中的应用。