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制造适于转移到非晶体层的结构的方法以及利用所述方法制造的结构

摘要

本发明涉及一种制造适于转移到非晶体层的结构的方法。所述方法包括以下步骤:提供具有晶体取向的衬底;在所述衬底上提供多个细长纳米结构(纳米线),所述纳米结构从衬底延伸,从而使得由每一个纳米结构的细长轴与衬底的表面法线定义的角度小于55度;沉积至少一个材料层,从而使得由所述材料覆盖衬底的至少被暴露出的区段;去除衬底,从而使得沉积层变为最底层;以及暴露出所述多个纳米结构当中的相应纳米结构的至少末端。本发明还涉及利用所述方法制造的结构。

著录项

  • 公开/公告号CN104508825A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-04-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 昆南诺股份有限公司;

    申请/专利号CN201380041865.6

  • 申请日2013-06-05

  • 分类号H01L29/66;H01L29/06;H01L29/775;G01N27/414;B82Y10/00;B82Y40/00;H01L29/10;

  • 代理机构中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人申屠伟进

  • 地址 瑞典隆德

  • 入库时间 2023-12-18 08:15:34

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-04-03

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L29/66 申请公布日:20150408 申请日:20130605

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2015-07-08

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/66 申请日:20130605

    实质审查的生效

  • 2015-04-08

    公开

    公开

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