公开/公告号CN102655087A
专利类型发明专利
公开/公告日2012-09-05
原文格式PDF
申请/专利权人 上海华力微电子有限公司;
申请/专利号CN201210109585.1
申请日2012-04-16
分类号H01L21/311;H01L21/336;
代理机构上海新天专利代理有限公司;
代理人王敏杰
地址 201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号
入库时间 2023-12-18 08:10:40
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-01-27
授权
授权
2012-10-31
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/311 申请日:20120416
实质审查的生效
2012-09-05
公开
公开
机译: 形成具有非晶扩散阻挡层的Ta 2 O 5介电层的方法和形成具有b的电容器的方法。助教。具有非晶扩散阻挡层的su2 O.sub.5介电层
机译: 形成具有非晶扩散阻挡层的Ta 2 O 5介电层的方法和形成具有Ta 2 O 5的电容器的方法。 2 O.sub.5介电层和非晶扩散阻挡层
机译: 调整限定的侧面角的方法包括通过在沉积金属或金属氧化物层的同时在待构造的层中产生或调整限定的接合应力来影响侧面角。