公开/公告号CN104458706A
专利类型发明专利
公开/公告日2015-03-25
原文格式PDF
申请/专利权人 重庆富地宝科技有限责任公司;
申请/专利号CN201410650295.7
发明设计人 张洪卫;
申请日2014-11-15
分类号G01N21/71;
代理机构
代理人
地址 402368 重庆市大足县龙水五金科技园区
入库时间 2023-12-18 08:05:40
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-05-29
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G01N21/71 申请公布日:20150325 申请日:20141115
发明专利申请公布后的视为撤回
2015-03-25
公开
公开
机译: 用于制造晶体管和n型oppervlaktedeel的方法,由第一和第二部分的第一束硼化硼与第二部分中的一束硼化硼形成第二半硼化硼的ap型基础,并植入到oppervlaktedeel和其中基极类型为发射极基元的是gewerkwijze,用于制造晶体管,n型基极是由第一束硼化物形成的半geleideriderlichaam ap型基基。
机译: 法测定硼化硼铁矿的方法,用方法制造的硼化硼铁矿的方法和在阳极或磁控管中阴极的阳极化
机译: 一种获得溴化硼-或无硼硅酸盐的溴化硅或碘化物的方法