基于纳米岛衬底制备大高宽比X射线衍射光学元件的方法

摘要

本发明公开了一种基于纳米岛衬底制备大高宽比X射线衍射光学元件的方法，该方法将电子束抗蚀剂固定在纳米岛上，并且镂空硅衬底减小电子束的背散射，以此增强电子束抗蚀剂的抗倒塌能力，并通过电子束直写、显影、电镀和刻蚀电镀种子层，形成大高宽比衍射光学元件。本发明采用薄膜衬底减少电子束背散射和增强抗蚀剂同衬底粘附性相结合的方法，有效增强了抗蚀剂的抗倒塌性能，可以制备出高宽比可以达到10∶1以上的X射线衍射光学元件。这种方法具有稳定可靠，工艺方法易实现，且与传统的光刻工艺兼容的优点。