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具有锗晶分形团簇的Al/Ge双层膜的制备方法

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摘要

本发明涉及到一种制备技术简单、形貌可控、重复性良好的Al/Ge双层膜中Ge分形团簇的Al诱导合成方法，也即是一种具有锗晶分形团簇的Al/Ge双层膜的制备方法，属于半导体薄膜制备工艺技术领域。本发明方法的主要内容是：利用真空热蒸发技术，将一定质量的高纯Ge(纯度99.9999wt.%)和高纯Al(纯度99.9wt.%)分别放置于真空热蒸发装置中的钼舟上。衬底选择单晶Si(100)晶面，在室温下当真空度优于2.67×10

著录项

公开/公告号CN102677163A

专利类型发明专利
公开/公告日2012-09-19

原文格式PDF
申请/专利权人上海大学;
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申请/专利号CN201210154266.2
发明设计人陈志文;李全宝;陈琛;刘延雨;王利军;焦正;吴明红;
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申请日2012-05-18
分类号
代理机构上海上大专利事务所(普通合伙);
代理人顾勇华
地址 200444 上海市宝山区上大路99号
入库时间 2023-12-18 07:55:56

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2015-06-10

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C30B23/02 申请公布日:20120919 申请日:20120518

发明专利申请公布后的视为撤回
2012-11-14

实质审查的生效 IPC(主分类):C30B23/02 申请日:20120518

实质审查的生效
2012-09-19

公开

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