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一种IGBT模块封装工艺及双向散热的IGBT模块

摘要

一种IGBT模块封装工艺及双向散热的IGBT模块,属于半导体器件制造技术领域。包括如下步骤:步骤1.1:在芯片(4)上植入金属球(2);步骤1.2:不良芯片覆盖及切割芯片;步骤1.3:下基板(6)与晶粒真空焊接;步骤1.4:上基板(3)与芯片焊接;步骤1.5:上基板与上散热片(1)焊接;步骤1.6:极片端子焊接,外壳成型及印字、硅胶注入、测试,包装。具有采用芯片金属植球技术,不用打金属线减少打线对芯片的损伤。通过上述先进工艺制作的IGBT模块,上基板上可外加散热片提高产品的散热能力、提高模块效率和良率等优点。

著录项

  • 公开/公告号CN102832146A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-12-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 淄博美林电子有限公司;

    申请/专利号CN201210327132.6

  • 发明设计人 吕新立;关仕汉;

    申请日2012-09-06

  • 分类号H01L21/60;H01L21/331;H01L23/492;H01L23/488;H01L29/739;

  • 代理机构淄博佳和专利代理事务所;

  • 代理人孙爱华

  • 地址 255000 山东省淄博市张店区张柳路6号

  • 入库时间 2023-12-18 07:46:04

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-02-17

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L21/60 申请公布日:20121219 申请日:20120906

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2013-02-06

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/60 申请日:20120906

    实质审查的生效

  • 2012-12-19

    公开

    公开

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