平面型功率MOS晶体管及其制造方法

摘要

本发明提供了一种平面型功率MOS晶体管及其制造方法。平面型功率MOS晶体管制造方法包括：用于在硅片上形成栅极氧化层的栅极氧化层形成步骤；用于在栅极氧化层表面上形成栅极多晶硅层的栅极多晶硅形成步骤；用于在栅极多晶硅层上形成正硅酸乙酯层的正硅酸乙酯层形成步骤；用于对正硅酸乙酯层、栅极多晶硅层、以及栅极氧化层进行刻蚀以形成沟槽的第一刻蚀步骤；用于在沟槽下方形成源区和阱区的源阱区形成步骤；在沟槽侧壁淀积氮化硅，并利用正硅酸乙酯填充侧壁，随后刻蚀形成侧墙隔离区的侧墙形成步骤；用于对所述侧墙隔离区进行退火的退火步骤。本发明能改进侧墙隔离区的抗击穿能力，降低平面型功率MOS晶体管的功耗并改善平面型功率MOS晶体管的性能。