具有p-GaN层纳米碗状表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法

摘要

具有p-GaN层纳米碗状表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法，涉及光电器件生产技术领域。先在GaN外延片的P-GaN层的表面蒸镀刻蚀用掩膜氯化铯薄膜层；向蒸发台腔室中充入水汽，形成多个氯化铯纳米岛，再在具有氯化铯纳米岛上沉积二氧化硅层；将外延片放入去离子水中浸泡或超声处理，形成二氧化硅纳米碗层，再将二氧化硅纳米碗层作为刻蚀掩膜，刻蚀结束后，将GaN外延片上的残留二氧化硅纳米碗层去除干净；将GaN外延片的一侧的进行ICP刻蚀，形成台面，在GaN外延片的上表面蒸镀ITO薄膜，等。经表面粗化后的GaN-LED比常规GaN-LED的光功率提高了35%以上。