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一种以β-sialon陶瓷-玻璃为中间层的氮化硅陶瓷接头及其制备方法

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摘要

一种以β-sialon陶瓷-玻璃为中间层的氮化硅陶瓷接头及其制备方法，它涉及一种氮化硅陶瓷接头及其制备方法。本发明要解决氮化硅陶瓷连接过程中由于陶瓷母材与焊料物理化学相容性差导致接头残余应力大的问题。本发明氮化硅陶瓷接头的中间层由β-sialon陶瓷相和玻璃相组成。方法：一、将Si

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2014-05-14

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C04B37/00 申请公布日:20121017 申请日:20120629

发明专利申请公布后的视为撤回
2012-12-12

实质审查的生效 IPC(主分类):C04B37/00 申请日:20120629

实质审查的生效
2012-10-17

公开

公开

1. 一种以β-sialon陶瓷-玻璃为中间层的氮化硅陶瓷接头及其制备方法 [P] . 中国专利： CN102731135A . 2012-10-17
2. 一种光固化氮化硅陶瓷浆料、氮化硅陶瓷及其制备方法 [P] . 中国专利： CN108892515B . 2021.05.28
3. Silicon nitride ceramics with a garnet-free devitrified intergranular glassy phase, and method of making them [P] . 欧洲知识产权局专利： EP0371420B1 . 1995-08-30

机译：不含石榴石的晶界玻璃态相的氮化硅陶瓷及其制备方法
4. Silicon nitride ceramic having devitrified intergranular glass phase and a process for its preparation [P] . 美国专利： US5128287A . 1992-07-07

机译：具有失透晶界玻璃相的氮化硅陶瓷及其制备方法
5. Silicon nitride ceramics with a garnet-free devitrified intergranular glassy phase, and method of making them [P] . 欧洲知识产权局专利： EP0371420A1 . 1990-06-06

机译：不含石榴石的晶界玻璃态相的氮化硅陶瓷及其制备方法