一种砷化镓基几何巨磁电阻器件及其制备方法

摘要

本发明属于磁场检测和磁场传感器材料以及器件技术领域，特别涉及一种砷化镓基几何巨磁电阻器件及其制备方法。该砷化镓基几何巨磁电阻器件在矩形单晶GaAs（100）或矩形单晶GaAs（111）基片表面的4个角上分别设有1个金属电极，4个金属电极呈矩形或梯形。其制备方法为：将GaAs 基片用酒精或丙酮漂洗干净后裁剪成矩形，将高纯软金属分别沉积或压制成金属电极于矩形单晶GaAs基片的4个角上，即可得到砷化镓基几何巨磁阻器件。所得到的砷化镓基几何巨磁阻器件具有显著的磁电阻效应，其磁电阻大于常规GaAs基磁电阻器件的磁电阻。所得到的砷化镓基几何巨磁阻器件的结构简单，原材料价格适中，制备工艺简单，且环境友好。