具备深背部通孔的砷化镓集成无源器件的制作技术

摘要

cqvip:介绍一种具备深背部通孔特点的砷化镓无源器件制作的芯片滤波器,并对其射频特性进行了进一步的讨论。在背部通孔深度达到200μm且形貌垂直的基础上,制备出一背部垂直电感。测试结果表明:在3.3~4.2 GHz频带内,该芯片滤波器的插入损耗(IL)<1.6 dB,带内回波损耗<-30 dB,可以满足当前微波毫米波系统中的大规模应用。并且该芯片滤波器的设计尺寸为1.0 mm×1.0 mm×0.25 mm,与传统滤波器相比,面积缩减了近90%,符合当前通信系统器件小型化的发展趋势,具有广阔的应用前景。