一种复合外延制作中压N型系列双扩散型场效应管的制作工艺

摘要

本发明公布了一种复合外延制作中压N型系列双扩散型场效应管的制作工艺，其工艺包括投料、第一步外延、第二步外延、第三步外延、第四步外延、场氧化、有源区刻蚀、高浓度硼注入，推结深、磷注入，推结深、栅氧化、多晶硅栅极淀积和掺杂、PWELL（P阱）硼注入，推结深、源极N+的砷注入，推结深、接触孔刻蚀、蒸铝，腐蚀铝、减薄背蒸等步骤。利用这个工艺平台，能够不增加任何额外的工序和操作，在保证耐压的基础上，将导通电阻降低10%。并且采用这种工艺制作的VDMOS管能有效抑制大电流大电场效应、在一定程度上扩宽了器件的安全工作区。导通电阻的减小，使得功耗大大降低，节省了能源，同时也极大的提高了电路的可靠性。